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IRLL2705TR

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IRLL2705TR
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IRLL2705TR参数：MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRLL2705TRSaberModel IRLL2705TRSpiceModel
PCNObsolescence： MultipleDevices03/Apr/2013
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：40毫欧@3.8A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：48nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：870pF@25V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223

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