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IRLL3303

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IRLL3303 优势库存
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SOT223
2023+
450
原装现货质量保证
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原装现货，价格优势
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IRLL3303PBF
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TO-223
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全新进口原装现货,特价热卖
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SOT-223
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原装现货,特价
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2023+
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全新进口原装现货,特价热卖
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SOT223-3
2023+
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原装现货价格优势
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SOT-223
2023+
10887
全新进口原装现货,特价热卖
IRLL3303TRPBF
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TO-261-4,TO-..
2023+
15850
全新进口原装现货品质保证
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品质保证,价格优惠
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一级代理/全新现货/长期供..
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原厂原包装
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SOT-223-4
2023+
26000
晶体管
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SOT-223-4
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晶体管
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进口原装 库房现货
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5600
IRLL3303PBF
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进口原装 库房现货
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SOT223
2023+
37500
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IRLL3303
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IRLL3303参数：MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRLL3303TRSaberModel IRLL3303TRSpiceModel
标准包装：80
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：31毫欧@4.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：840pF@25V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223

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