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IRLML2060TR

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IRLML2060TRPBF
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IRLML2060TRPBF参数：MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRLML2060TRPBFSaberModel IRLML2060TRPBFSpiceModel
标准包装：3,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：480毫欧@1.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.67nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：64pF@25V
功率-最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：Micro3?/SOT-23

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