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IRLMS2002TRPBF

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IRLMS2002TRPBF
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IRLMS2002TRPBF参数：MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRLMS2002TRSaberModel IRLMS2002TRSpiceModel
标准包装：3,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30毫欧@6.5A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1310pF@15V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm宽）
供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）

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