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IRLMS4502TR

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IRLMS4502TR
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IRLMS4502TR参数：MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：HEXFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：42 毫欧 @ 5.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1820pF @ 10V
功率 - 最大值：1.7W
安装类型：表面贴装
封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）
供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）

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