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IRLZ34NS

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IRLZ34NSTRLPBF 优势库存
IR
TO-263(D2PAK)
2023+
6550
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IRLZ34NSS
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263
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IRLZ34NS
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TO-263
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全新进口原装现货,特价热卖
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IRLZ34NSTRR
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Dsup2Pak，TO-..
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IRLZ34NSS
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IRLZ34NSTRL
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D2-Pak
2023+
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D2-pak
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11278
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IRLZ34NSTRLPBF
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D2-PAK
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IRLZ34NSTRL
NO MFR
原厂原包装
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22184
全新原装现货特价优惠
IRLZ34NSTRLPBF
NO MFR
原厂原包装
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22185
全新原装现货，价格优惠
IRLZ34NS
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D2-pak
2023+
29442
全新原装现货，价格优惠
IRLZ34NSPBF
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D2-pak
2023+
29443
全新原装现货，价格优惠
IRLZ34NSPBF
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D-PAK-3
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26000
晶体管
IRLZ34NSTRLPBF
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D-PAK-3
2023+
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晶体管
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进口原装 库房现货
2023+
5600
IRLZ34NSPBF
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原装现货
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IRLZ34NS
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库房现货原装进口
2023+
5600
IRLZ34NS
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T0-263
2023+
14999
原装现货，假一赔十
相关型号： IRLZ34NPBF IRLZ34NLPBF IRLZ34NL IRLZ34L IRLZ34 IRLZ24STRR

IRLZ34NS
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IRLZ34NS参数：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRLZ34NSSaberModel IRLZ34NSSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@16A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：880pF@25V
功率-最大值：3.8W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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