首页 > IC > I-1456页 >

IRLZ34NSTRLPBF

供应查询

您是不是要找：IRLZ34NSTRR IRLZ34PBF IRLZ34PBF-BE3 IRLZ34PRFMD048 IRLZ34S

IRLZ34NSTRLPBF 优势库存

TO-263(D2PAK)

2023+

6550

全新原厂原装现货

IRLZ34NSTRLPBF

Infineon Techn..

D2PAK

2023+

31815

全新原装进口现货品质保证

深圳市同亨电子有限公司

电话：18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐

IRLZ34NSTRLPBF

InternationalR..

TO-263-3,Dsu..

2023+

2910

全新进口原装现货品质保证

深圳市科锦电子有限公司

电话：18923786596
联系人：肖小姐

IRLZ34NSTRLPBF

D2-PAK

2023+

10557

工厂配单，价格优势

深圳市跃创科技有限公司

电话：18922857317
联系人：销售部

IRLZ34NSTRLPBF

NO MFR

原厂原包装

2023+

22185

全新原装现货，价格优惠

IRLZ34NSTRLPBF

D-PAK-3

2023+

26000

晶体管

相关型号： IRLZ34NSPBF IRLZ34NS IRLZ34NPBF IRLZ34NLPBF IRLZ34NL IRLZ34L

IRLZ34NSTRLPBF
PDF资料下载

IRLZ34NSTRLPBF参数：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRLZ34NSSaberModel IRLZ34NSSpiceModel
标准包装：800
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@16A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：880pF@25V
功率-最大值：3.8W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

IRLZ34NSTRLPBF

document.write('<a href=http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlz34nspbf.pdf rel=nofollow class=tit target="_blank">')IRLZ34NSTRLPBFPDF资料下载document.write('</a>')

在线询价

IRLZ34NSTRLPBF
PDF资料下载