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IXBT42N170

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IXBT42N170
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IXBT42N170参数：IGBT 1700V 80A 360W TO268

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：BIMOSFET™
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1700V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.8V @ 15V，42A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80A
Current - Collector Pulsed (Icm)：300A
功率 - 最大值：360W
Switching Energy：-
输入类型：标准
Gate Charge：188nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：1.32µs
封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-268

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