IXBT6N170参数:IGBT 1700V 12A 75W TO268
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:BIMOSFET™包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1700V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):3.4V @ 15V,6A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):12ACurrent - Collector Pulsed (Icm):36A功率 - 最大值:75WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:17nCTd (on/off) A 25°C:-Test Condition:-反向恢复时间 (trr):1.08µs封装:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-268