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IXDN55N120

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相关型号： IXDN514SIAT/R IXDN514SIA IXDN514PI IXDN514D1T/R IXDN514D1 IXDN509SIAT/R

IXDN55N120D1
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IXDN55N120D1参数：IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B

类别：半导体模块-IGBT
标准包装：10
系列：-
IGBT 类型：NPT
配置：单一
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.8V @ 15V，55A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100A
电流 - 集电极截止（最大值）：3.8mA
不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：3.3nF @ 25V
功率 - 最大值：450W
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B

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