IXGQ50N60B4D1参数:IGBT 600V 100A TO-3P
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:-包装:管件IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):1.8V @ 15V,36A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100ACurrent - Collector Pulsed (Icm):230A功率 - 最大值:300WSwitching Energy:930µJ(开),1mJ(关)输入类型:标准Gate Charge:110nCTd (on/off) A 25°C:37ns/330nsTest Condition:400V,36A,10 欧姆,15V反向恢复时间 (trr):25ns封装:TO-3P-3,SC-65-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P