IXGQ85N33PCD1参数:IGBT W/FAST REC DIODE TO-3P
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:Polar™包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):330V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,50A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):85ACurrent - Collector Pulsed (Icm):340A功率 - 最大值:150WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:80nCTd (on/off) A 25°C:20ns/87nsTest Condition:240V,50A,5 欧姆,15V反向恢复时间 (trr):250ns封装:TO-3P-3,SC-65-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P