IXGT32N60C参数:IGBT 60A 600V TO-268
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:HiPerFAST™, Lightspeed 2™包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,32A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60ACurrent - Collector Pulsed (Icm):120A功率 - 最大值:200WSwitching Energy:320µJ(关)输入类型:标准Gate Charge:110nCTd (on/off) A 25°C:25ns/85nsTest Condition:-反向恢复时间 (trr):-封装:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-268