IXGT40N120A2

IXGT40N120B2D1
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IXGT40N120B2D1参数：IGBT 1200V TO-268

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：PT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.5V @ 15V，40A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75A
Current - Collector Pulsed (Icm)：200A
功率 - 最大值：380W
Switching Energy：3mJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：138nC
Td (on/off) A 25°C：21ns/290ns
Test Condition：960V，40A，2 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：100ns
封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-268