IXTN79N20参数：MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227
类别：半导体模块-FET标准包装：10系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：79A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 20mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：SOT-227B
