MGSF1N03LT1参数:MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装:10系列:-包装:剪切带(CT)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):100毫欧@1.2A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):140pF@5V功率-最大值:420mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)