MGSF1N03LT1G

MGSF1N03LT1G
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MGSF1N03LT1G参数：MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：140pF @ 5V
功率 - 最大值：420mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）