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MGSF1P02E

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MGSF1P02ELTI 优势库存
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2023+
15356
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MGSF1P02ELT1G 优势库存
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2023+
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MGSF1P02ELT1 优势库存
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SOT23
2023+
21356
原装现货，价格优势
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MGSF1P02ELT1
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2023+
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MGSF1P02E
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2023+
22278
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MGSF1P02ELT1G
ONSEMI
SOT23
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2099
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MGSF1P02ELT1
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18000
品质保证,价格优惠
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MGSF1P02E
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21000
品质保证,价格优惠
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MGSF1P02ELT1/DE
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3000
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MGSF1P02ELT1G
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MGSF1P02ELT3G
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工厂配单，价格优势
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MGSF1P02ELT1/DE
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SOT-23
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5557
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MGSF1P02ELT1
MOT
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MGSF1P02E
MOROTOLA
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6000
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相关型号： MGSF1N03LT3G MGSF1N03LT3 MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1 MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1

MGSF1P02LT1
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MGSF1P02LT1参数：MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence01/Apr/2004
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：750mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：350毫欧@1.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：130pF@5V
功率-最大值：400mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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