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MGSF2N02ELT

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SOT-23
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MGSF2N02ELT1G 优势库存
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MGSF2N02ELT1G
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SOT-23-3（TO-..
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MGSF2N02ELT1
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品质保证,价格优惠
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MGSF2N02ELT1G
ONSemiconductor
SOT-23-3,TO-..
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6000
品质保证,价格优惠
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MGSF2N02ELT1G
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全新进口原装现货品质保证
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MGSF2N02ELTIG
TO-23
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MGSF2N02ELT3G
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SOT-23
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91278
工厂配单，价格优势
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MGSF2N02ELT1G
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SOT-23-3
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【【【原装绝对有货】】】
相关型号： MGSF1P02LT1 MGSF1N03LT3G MGSF1N03LT3 MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1 MGSF1N02LT1G

MGSF2N02ELT1G
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MGSF2N02ELT1G参数：MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.5nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：150pF @ 5V
功率 - 最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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