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MGSF3433

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MGSF3433VT1 优势库存
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SOT363
2023+
5453
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MGSF3433VT1G 优势库存
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MGSF3433VT1
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2101
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94972
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MGSF3433VT1163-3T2
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2023+
4278
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3379
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MGSF3433
MALAYSIA
SOT-163
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相关型号： MGSF2N02ELT1G MGSF1P02LT1 MGSF1N03LT3G MGSF1N03LT3 MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1

MGSF1N02LT1
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MGSF1N02LT1参数：MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence11/Feb/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：750mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@1.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：125pF@5V
功率-最大值：400mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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