MKI50-12E7参数：MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 90A E2
类别：半导体模块-IGBT标准包装：6系列：-IGBT 类型：NPT配置：全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.4V @ 15V，50A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：90A电流 - 集电极截止（最大值）：800µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：3.8nF @ 25V功率 - 最大值：350W输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：E2供应商器件封装：E2
