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MMBF0201NLT1

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MMBF0201NLT1G 优势库存
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SOT-23
2023+
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MMBF0201NLT1
MOT
SOT23
2023+
146
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MMBF0201NLT1
ONSemiconductor
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2023+
6000
品质保证,价格优惠
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2023+
6000
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MMBF0201NLT1G
ONSemiconducto..
TO-236-3,SC-..
2023+
36350
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2023+
1250
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DPAK-2
2023+
16000
【【【原装绝对有货】】】
相关型号： MMBD914-V-GS08 MMBD914-TP MMBD914LT3G MMBD914LT1G MMBD914LT1 MMBD914-7-F

MMBF0201NLT1
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MMBF0201NLT1参数：MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009 ProductObsolescence14/Apr/2010
标准包装：10
系列：-
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：300mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1欧姆@300mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：45pF@5V
功率-最大值：225mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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