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MMBF0202

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MMBF0202PLT1G 优势库存
ON
SOT23
2023+
4900
全新原厂原装现货
MMBF0202P
MOT
SOT-23
2023+
8857
质量保证即时发货
MMBF0202
ON
SOT-23
2023+
16278
全新进口原装现货,保证质量
MMBF0202PLT1
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SOT-23
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全新进口原装现货,特价热卖
MMBF0202PLT1G
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SOT-23
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全新进口原装现货,保证质量
MMBF0202RLT1
MOTOROLA
SOT23
2023+
2278
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MMBF0202PLT1G
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SOT23
2023+
1550
品质保证,价格优惠
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MMBF0202PLT1
ONSemiconductor
SOT-23-3,TO-..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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MMBF0202P
MOT
SOT-23
2023+
6300
品质保证,价格优惠
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MMBF0202PLT1
ONSemiconducto..
TO-236-3,SC-..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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MMBF0202P-NL
FAIRCHILD
SOT-23
2023+
7278
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MMBF0202PLT1/P3
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SOT-23
2023+
16278
工厂配单，价格优势
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MMBF0202P
MOROTOLA
SOT-23
2023+
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原装现货
MMBF0202PLT1/P3
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SOT-23
2023+
13520
原装现货
相关型号： MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1 MMBD914-V-GS08 MMBD914-TP MMBD914LT3G MMBD914LT1G

MMBF0201NLT1
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MMBF0201NLT1参数：MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009 ProductObsolescence14/Apr/2010
标准包装：10
系列：-
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：300mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1欧姆@300mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：45pF@5V
功率-最大值：225mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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