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MMBF2202PT1G

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MMBF2202PT1G
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MMBF2202PT1G参数：MOSFET P-CH 20V 300MA SOT323

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009 ProductObsolescence14/Apr/2010
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：300mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.2欧姆@200mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.7nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：50pF@5V
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）

MMBF2202PT1G

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