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MMBF4393LT1

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MMBF4393LT1G
ONSemiconductor
JFETN-CH30V2..
2023+
1008000
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MMBF4393LT1
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SOT23
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SOT-23
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SOT-23
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MMBF4393LT1
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SOT-23-3,TO-..
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3000
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ONSemiconducto..
TO-236-3,SC-..
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2023+
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MMBF4393LT1/M6G4
ON
SOT-23
2023+
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33200
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SOT23
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原装现货
相关型号： MMBF4393 MMBF4392LT1G MMBF4392LT1 MMBF4392 MMBF4391LT1G MMBF4391LT1

MMBF4393LT1
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MMBF4393LT1参数：JFET SS N-CHAN 30V SOT23

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
标准包装：10
系列：-
包装：剪切带(CT)
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：5mA@15V
漏源极电压(Vdss)：30V
漏极电流(Id)-最大值：-
FET类型：N沟道
电压-击穿(V(BR)GSS)：30V
不同Id时的电压-截止（VGS关）：500mV@10nA
不同Vds时的输入电容(Ciss)：14pF@15V
电阻-RDS（开）：100欧姆
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值：225mW

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