MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G
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MMBF4393LT1G参数：TRANS JFET SW N-CHAN 30V SOT23

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：5mA @ 15V
漏源极电压 (Vdss)：30V
漏极电流 (Id) - 最大值：-
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：500mV @ 10nA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14pF @ 15V
电阻 - RDS（开）：100 欧姆
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
功率 - 最大值：225mW