MMBFJ108参数：IC SWITCH N-CHAN 25V 80MA SSOT3
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：80mA@15V漏源极电压(Vdss)：-漏极电流(Id)-最大值：-FET类型：N沟道电压-击穿(V(BR)GSS)：25V不同Id时的电压-截止（VGS关）：3V@10nA不同Vds时的输入电容(Ciss)：-电阻-RDS（开）：8欧姆安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SuperSOT-3功率-最大值：350mW
