MMBFJ110参数：IC SWITCH N-CH 3-SSOT
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：10mA @ 15V漏源极电压 (Vdss)：-漏极电流 (Id) - 最大值：-FET 类型：N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25V不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：4V @ 10nA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-电阻 - RDS（开）：18 欧姆安装类型：表面贴装封装：3-SMD，鸥翼型供应商器件封装：SuperSOT-3功率 - 最大值：460mW
