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MMBFJ112

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相关型号： MMBFJ111 MMBFJ110 MMBFJ108 MMBF5486 MMBF5485 MMBF5484LT1G

MMBFJ112
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MMBFJ112参数：IC SWITCH ANALOG N-CH SOT-23

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：5mA@15V
漏源极电压(Vdss)：-
漏极电流(Id)-最大值：-
FET类型：N沟道
电压-击穿(V(BR)GSS)：35V
不同Id时的电压-截止（VGS关）：1V@1µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)：-
电阻-RDS（开）：50欧姆
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值：350mW

MMBFJ112

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