MMBFJ113参数:IC SWITCH N-CH 35V 50MA SOT-23
类别:分立半导体产品-JFET(结点场效应产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification: MoldCompound12/Dec/2007标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss):2mA@15V漏源极电压(Vdss):-漏极电流(Id)-最大值:-FET类型:N沟道电压-击穿(V(BR)GSS):35V不同Id时的电压-截止(VGS关):500mV@1µA不同Vds时的输入电容(Ciss):-电阻-RDS(开):100欧姆安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)功率-最大值:350mW