MMBTH10参数：TRANSISTOR RF NPN SOT-23
类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)晶体管类型：NPN电压-集射极击穿（最大值）：25V频率-跃迁：650MHz噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-增益：-功率-最大值：225mW不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：60@4mA，10V电流-集电极(Ic)（最大值）：50mA安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）