MMDF2P02ER2G参数：MOSFET PWR P-CH 25V 2.5A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：250毫欧@2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：475pF@16V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
