MMDF3N02HDR2参数：MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence11/Feb/2009标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：630pF@16V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
ONSOP82023+93350全新原厂原装现货