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MMDF6N02HD

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MMDF1N05ER2
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MMDF1N05ER2参数：MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
标准包装：10
系列：-
包装：剪切带(CT)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：50V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：300毫欧@1.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12.5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：330pF@25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN

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