MMFT2N02ELT1参数:MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductObsolescence30/Dec/2003标准包装:10系列:-包装:Digi-Reel®FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):150毫欧@800mA,5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):20nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):580pF@15V功率-最大值:800mW安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223