MMFT2N25E

MMFT2N02ELT1
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MMFT2N02ELT1参数：MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence30/Dec/2003
标准包装：10
系列：-
包装：Digi-Reel®
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：150毫欧@800mA，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：580pF@15V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223