MMFT960T1参数：MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： SpecificationChangeMSLUpdated2/April/2007 ProductDiscontinuation27/Jun/2007标准包装：10系列：-包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：300mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.7欧姆@1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.2nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：65pF@25V功率-最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
