MMIX1X200N60B3H1参数:IGBT 600V 175A 520W SMPD
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:20系列:XPT™, GenX3™包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):1.7V @ 15V,100A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):175ACurrent - Collector Pulsed (Icm):1000A功率 - 最大值:520WSwitching Energy:2.85mJ (开), 2.9mJ (关)输入类型:标准Gate Charge:315nCTd (on/off) A 25°C:48ns/160nsTest Condition:360V, 100A, 1 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):100ns封装:24-BESOP(0.906",23.00mm 宽)21 引线,裸露焊盘安装类型:表面贴装供应商器件封装:24-SMPD