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MTD6P10ET4

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MTD6P10E
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MTD6P10E参数：MOSFET P-CH 100V 6A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence30/Dec/2003
标准包装：75
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：660毫欧@3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：840pF@25V
功率-最大值：1.75W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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