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MTP12N10

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MTP12P10G
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MTP12P10G参数：MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence01/Jul/2009
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：300毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：920pF@25V
功率-最大值：75W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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