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MTW32N20

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MTW32N20E 优势库存
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相关型号： MTW30-51515 MTW30-51212 MTW15-51515 MTW15-51212 MTV18-250L MTV18-187L

MTW32N20E
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MTW32N20E参数：MOSFET N-CH 200V 32A TO-247

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence19/Jun/2009
标准包装：30
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：32A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：75毫欧@16A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：120nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5000pF@25V
功率-最大值：180W
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247

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