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MTY100N10E

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MTY100N10E
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MTY100N10E参数：MOSFET N-CH 100V 100A TO-264

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation30/Jun/2004
标准包装：25
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11毫欧@50A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：378nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：10640pF@25V
功率-最大值：300W
安装类型：通孔
封装：TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：TO-264

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