MTY100N10E参数：MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation30/Jun/2004标准包装：25系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11毫欧@50A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：378nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：10640pF@25V功率-最大值：300W安装类型：通孔封装：TO-264-3，TO-264AA供应商器件封装：TO-264