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NTD12N10-1

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NTD12N10-1G 优势库存
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TO-252(DPAK)
2023+
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NTD12N10-1G
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I-PAK
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NTD12N10-1G
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TO-252
2023+
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ONSemiconductor
IPak,TO-251,..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTD12N10-1
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TO-252
2023+
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相关型号： NTD110N02RT4G NTD110N02RT4 NTD110N02RG NTD110N02R-001G NTD110N02R-001 NTD110N02R

NTD12N10-1G
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NTD12N10-1G参数：MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence08/Apr/2011
标准包装：75
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：165毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：550pF@25V
功率-最大值：1.28W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：I-Pak

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