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NTD60N02R-1

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相关型号： NTD60N02R-035 NTD60N02R NTD5867NLT4G NTD5867NL-1G NTD5865NT4G NTD5865NLT4G

NTD60N02R-1G
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NTD60N02R-1G参数：MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010
标准包装：75
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10.5毫欧@20A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1330pF@20V
功率-最大值：1.25W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：I-Pak

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