NTD60N02R-35G参数：MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： LTBNotification标准包装：75系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10.5毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1330pF@20V功率-最大值：1.25W安装类型：通孔封装：TO-251-3短截引线，IPak供应商器件封装：I-Pak
