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NTD60N02RT4G

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NTD60N02RT4G
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NTD60N02RT4G参数：MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence07/Jul/2010
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10.5毫欧@20A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1330pF@20V
功率-最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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