NTGS3136PT1G参数：MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ReactivationNotice28/Jun/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.8V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：33毫欧@5.1A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：29nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1901pF@10V功率-最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOP
