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NTGS3433T1

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NTGS3433T1G
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NTGS3433T1G参数：MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： WireChange08/Oct/2008
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.35A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：75毫欧@3.3A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：550pF@5V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：6-TSOP

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