NTGS3441BT1G参数：MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence13/Apr/2009标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@3A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：900mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：630pF@10V功率-最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOP