NTTFS4800NTAG参数:MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductObsolescence08/Apr/2011标准包装:1,500系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):20毫欧@20A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):16.6nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):964pF@15V功率-最大值:860mW安装类型:表面贴装封装:8-WDFN裸露焊盘供应商器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)